Microchip 2N6301E3

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-213AA, TO-66-2

供应商器件包装

TO-66 (TO-213AA)

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

2N6301E3

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Package Description

FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2

Risk Rank

5

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

200 °C

Package Body Material

METAL

Package Shape

ROUND

Package Style

FLANGE MOUNT

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

500 µA

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Pd - Power Dissipation

75 W

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

500

Collector-Emitter Saturation Voltage

3 V

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

-

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

80 V

操作温度

-55°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

JESD-609代码

e3

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

O-MBFM-P2

配置

DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

75 W

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN - Darlington

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

750 @ 4A, 3V

最大集极截止电流

500µA

JEDEC-95代码

TO-213AA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

3V @ 80mA, 8A

电压 - 集射极击穿（最大值）

80 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

80 V

最大耗散功率(Abs)

75 W

集电极电流-最大值(IC)

8 A

最小直流增益（hFE）

100

集电极-发射器电压-最大值

80 V