Microchip 2N6308

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-SMD, No Lead

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-204AD (TO-3)

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

厂商

Suntsu Electronics, Inc.

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

8 A

Base Product Number

2N6308

Emitter- Base Voltage VEBO

8 V

Pd - Power Dissipation

125 W

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

5 V

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

-

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip Technology / Atmel

Maximum DC Collector Current

8 A

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

350 V

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

5 MHz

Manufacturer Part Number

2N6308

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.11

Part Package Code

TO-3

操作温度

-40°C ~ 85°C

系列

SXT114

包装

Tray

尺寸/尺寸

0.063 L x 0.047 W (1.60mm x 1.20mm)

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

类型

兆赫晶体

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

子类别

Transistors

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

频率

27 MHz

频率稳定性

±30ppm

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500/498

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

不合格

ESR（等效串联电阻）

150 Ohms

配置

Single

负载电容

11pF

操作模式

Fundamental

箱体转运

COLLECTOR

频率容差

±25ppm

功率 - 最大

125 W

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

12 @ 3A, 5V

最大集极截止电流

50µA

JEDEC-95代码

TO-3

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

5V @ 2.67A, 8A

电压 - 集射极击穿（最大值）

350 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

700 V

最大耗散功率(Abs)

125 W

集电极电流-最大值(IC)

8 A

最小直流增益（hFE）

12

集电极-发射器电压-最大值

350 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

座位高度(最大)

0.018 (0.45mm)