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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3694.58069
10
¥3485.453486
100
¥3288.163664
500
¥3102.041192
1000
¥2926.453958
2N6327详情
Microchip 2N6327重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-204AA, TO-3
供应商器件包装
TO-3
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
2N6327
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
Texas INC
Risk Rank
5.49
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
200 °C
Package Body Material
METAL
Package Shape
ROUND
Package Style
FLANGE MOUNT
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Transition Frequency-Nom (fT)
3 MHz
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
30 A
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Brand
微芯片技术
RoHS
Details
操作温度
-
系列
-
包装
Bulk
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.29.00.95
技术
Si
端子位置
BOTTOM
终端形式
PIN/PEG
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
JESD-30代码
O-MBFM-P2
资历状况
不合格
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
200 W
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
-
最大集极截止电流
-
JEDEC-95代码
TO-3
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
-
电压 - 集射极击穿(最大值)
80 V
频率转换
-
最大耗散功率(Abs)
114 W
集电极电流-最大值(IC)
30 A
最小直流增益(hFE)
6
集电极-发射器电压-最大值
80 V
产品类别
Bipolar Transistors - BJT
2N6327拓展信息
Microchip
Microchip
Microchip
Microchip
Microchip
Microchip
Microchip
Microchip
Microchip
Microchip







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