Microchip 2N6350

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-205AC, TO-33-4 Metal Can

触点镀层

Lead, Tin

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

4

供应商器件包装

TO-33

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

QAM2012.010

Manufacturer

Siemens Building Technologies

Display

无显示

Transistor Polarity

NPN

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

5 A

Base Product Number

2N6350

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Unit Weight

0.299089 oz

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Brand

微芯片技术

RoHS

N

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.5 V

Number of Elements

1

Package Description

TO-33, 4 PIN

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Turn-on Time-Max (ton)

500 ns

Package Shape

ROUND

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Turn-off Time-Max (toff)

1200 ns

Risk Rank

5.23

Part Package Code

TO-33

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

应用

Duct

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

Transistors

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

输出量

1 kOhm Platinum RTD

引脚数量

4

JESD-30代码

O-MBCY-W4

功能

Temperature

资历状况

不合格

极性

NPN

配置

DARLINGTON

元素配置

Single

功率耗散

1

功率 - 最大

1 W

极性/通道类型

NPN

产品类别

达林顿晶体管

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

80 V

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

2000 @ 5A, 5V

最大集极截止电流

1µA

JEDEC-95代码

TO-33

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2.5V @ 10mA, 5A

电压 - 集射极击穿（最大值）

80 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

80 V

发射极基极电压 (VEBO)

12 V

集电极电流-最大值(IC)

5 A

最小直流增益（hFE）

400

连续集电极电流

5

产品类别

达林顿晶体管

无铅

含铅