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'2n6351'
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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 触点镀层 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | Collector-Emitter Saturation Voltage | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | HTS代码 | 子类别 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | Reach合规守则 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 极性 | 配置 | 元素配置 | 功率 - 最大 | 极性/通道类型 | 产品类别 | 晶体管类型 | 集电极发射器电压(VCEO) | 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce | 最大集极截止电流 | JEDEC-95代码 | 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值） | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 频率转换 | 集电极基极电压(VCBO) | 发射极基极电压 (VEBO) | 集电极电流-最大值(IC) | 最小直流增益（hFE） | 产品类别 | ||||||||||||||||||||||
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 | 2N6351 | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Lead, Tin | 通孔 | 通孔 | TO-205AC, TO-33-4 Metal Can | NO | 4 | TO-33 | 4 | SILICON | 2.5 V | MICROSEMI CORP | TO-33 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W4 | 微芯片技术 | 5.23 | 1 | 200 °C | METAL | ROUND | CYLINDRICAL | 未说明 | 1200 ns | 500 ns | Bulk | 5 A | 活跃 | Compliant | 2N6351 | 无 | 活跃 | -65°C ~ 200°C (TJ) | Bulk | - | e0 | 无 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 200 °C | -65 °C | 8541.29.00.95 | BOTTOM | WIRE | 未说明 | not_compliant | 4 | O-MBCY-W4 | 不合格 | NPN | DARLINGTON | Single | 1 W | NPN | NPN - Darlington | 150 V | 1000 @ 5A, 5V | - | TO-33 | 2.5V @ 10mA, 5A | 150 V | - | 150 V | 12 V | 5 A | 200 | ||||||||
 | 2N6351E3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | TO-205AC, TO-33-4 Metal Can | TO-33 | 微芯片技术 | Bulk | 活跃 | 5 A | 1 | Microchip | Microchip Technology / Atmel | -65°C ~ 200°C | - | Transistors | 1 W | BJTs - Bipolar Transistors | NPN - Darlington | 1000 @ 5A, 5V | 1μA | 2.5V @ 10mA, 5A | 150 V | - | Bipolar Transistors - BJT |
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