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'2n6372'

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category.单相BJT晶体管 (2)

所有品牌

对比

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

包装/外壳

表面安装

终端数量

晶体管元件材料

Collector-Emitter Saturation Voltage

包装

系列

JESD-609代码

端子表面处理

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度（摄氏度）

Reach合规守则

JESD-30代码

配置

箱体转运

晶体管应用

极性/通道类型

JEDEC-95代码

集电极基极电压(VCBO)

最大耗散功率(Abs)

集电极电流-最大值(IC)

最小直流增益（hFE）

连续集电极电流

集电极-发射器电压-最大值

VCEsat-最大值

2N6372 TIN/LEAD

2N6372 TIN/LEAD

Central Semiconductor

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

TO-66-2

1 V

100 at 2 A, 4 V

30

N

通孔

NPN

80 V

5 V

-

40 W

4 MHz

- 65 C

+ 200 C

25 at 0.5 A, 4 V

Tube

2N6372

Single

90 V

6 A

2N6372 PBFREE

Central Semiconductor

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

TO-66-2

NO

2

SILICON

2 V

通孔

PNP

80 V

5 V

40 W

5 MHz

- 65 C

+ 200 C

20 at 3 A, 4 V

100 at 3 A, 4 V

30

FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2

FLANGE MOUNT

METAL

-65 °C

未说明

200 °C

有

4 MHz

2N6372PBFREE

ROUND

1

活跃

CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP

5.65

Details

Tube

2N63

e3

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

BOTTOM

PIN/PEG

未说明

compliant

O-MBFM-P2

Single

COLLECTOR

SWITCHING

NPN

TO-66

90 V

40 W

6 A

5

6 A

80 V

2 V