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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥211.484579
10
¥199.513755
100
¥188.220522
500
¥177.566533
1000
¥167.515592
2N6421详情
Microchip 2N6421重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-213AA, TO-66-2
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-66 (TO-213AA)
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
2 A
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Manufacturer
Microchip
Brand
Microchip Technology / Atmel
RoHS
Details
Package Description
FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
METAL
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
200 °C
Rohs Code
无
Transition Frequency-Nom (fT)
10 MHz
Manufacturer Part Number
2N6421
Package Shape
ROUND
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
Risk Rank
5.3
Part Package Code
TO-66
操作温度
-
系列
-
包装
Bulk
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8541.29.00.95
子类别
Transistors
技术
Si
端子位置
BOTTOM
终端形式
PIN/PEG
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
2
JESD-30代码
O-MBFM-P2
资历状况
不合格
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
35 W
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
-
最大集极截止电流
-
JEDEC-95代码
TO-66
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
-
电压 - 集射极击穿(最大值)
250 V
频率转换
-
最大耗散功率(Abs)
35 W
集电极电流-最大值(IC)
2 A
最小直流增益(hFE)
40
集电极-发射器电压-最大值
250 V
产品类别
Bipolar Transistors - BJT
2N6421拓展信息
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
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Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
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