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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥867.2306
10
¥818.142071
100
¥771.832146
500
¥728.143531
1000
¥686.927864
2N6649详情
Microchip 2N6649重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 months ago)
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-204AA, TO-3
底架
通孔
供应商器件包装
TO-204AA (TO-3)
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
10 A
Base Product Number
2N6649
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Manufacturer
Microchip
Brand
微芯片技术
RoHS
N
Collector-Emitter Saturation Voltage
2 V
Number of Elements
1
操作温度
-65°C ~ 175°C (TJ)
系列
-
包装
Tray
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-65 °C
子类别
Transistors
极性
PNP
元素配置
Single
功率 - 最大
5 W
产品类别
达林顿晶体管
晶体管类型
PNP - Darlington
集电极发射器电压(VCEO)
60 V
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
1000 @ 5A, 3V
最大集极截止电流
1mA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
3V @ 100µA, 10A
电压 - 集射极击穿(最大值)
60 V
频率转换
-
集电极基极电压(VCBO)
60 V
发射极基极电压 (VEBO)
5 V
产品类别
达林顿晶体管
辐射硬化
无
2N6649拓展信息
Microchip Technology
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