Microchip 2N696

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-5AA

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Base Product Number

2N696

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Pd - Power Dissipation

600 mW

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

20 at 150mA, 10 VDC

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.5 V

Unit Weight

0.451452 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

-

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip Technology / Atmel

DC Current Gain hFE Max

60 at 150 mA, 10 VDC

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

40 V

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Operating Temperature-Min

-65 °C

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

40 MHz

Manufacturer Part Number

2N696

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.71

Part Package Code

TO-39

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

子类别

Transistors

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

O-MBCY-W3

配置

Single

功率 - 最大

600 mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 150mA, 10V

最大集极截止电流

10µA (ICBO)

JEDEC-95代码

TO-39

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 15mA, 150mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

40 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

60 V

最小直流增益（hFE）

20

产品类别

Bipolar Transistors - BJT