Microchip APT1001R1AN

表面安装

NO

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

XTAE025C01G001

Manufacturer

Cutler Hammer, Div of Eaton Co

Package Description

FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

ADVANCED POWER TECHNOLOGY INC

Risk Rank

8.04

Drain Current-Max (ID)

9.5 A

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

子类别

FET 通用电源

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

不合格

配置

SINGLE

操作模式

增强型MOSFET

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-3

最大漏极电流 (Abs) (ID)

9.5 A

漏极-源极导通最大电阻

1.1 Ω

DS 击穿电压-最小值

1000 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

230 W

环境耗散-最大值

230 W