Microchip APT1001RSVRG

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

供应商器件包装

D3 [S]

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

APT1001RSVRG

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Risk Rank

1.35

Drain Current-Max (ID)

11 A

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Reflow Temperature-Max (s)

30

Package

Tube

Base Product Number

APT1001

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

11A (Tc)

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

系列

POWER MOS V®

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

纯哑光锡

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

245

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1Ohm @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3660 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

225 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

1000 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

1 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

44 A

DS 击穿电压-最小值

1000 V

雪崩能量等级（Eas）

1210 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-