Microchip APT10026JNR

表面安装

NO

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

APT10026JNR

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

ADVANCED POWER TECHNOLOGY INC

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PUFM-D2

Risk Rank

5.66

Drain Current-Max (ID)

33 A

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

FLANGE MOUNT

附加功能

UL 认证

端子位置

UPPER

终端形式

SOLDER LUG

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PUFM-D2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

33 A

漏极-源极导通最大电阻

0.26 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

132 A

DS 击穿电压-最小值

1000 V

雪崩能量等级（Eas）

3600 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

690 W