Microchip APT10M09LVFRG

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-264-3, TO-264AA

底架

通孔

供应商器件包装

TO-264 [L]

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Manufacturer Part Number

APT10M09LVFRG

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Package Code

TO-264AA

Package Description

TO-264, 3 PIN

Risk Rank

5.16

Drain Current-Max (ID)

100 A

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

FLANGE MOUNT

Package

Tube

Base Product Number

APT10M09

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100A (Tc)

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Schedule B

8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080

Voltage Rating (DC)

100 V

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

50 ns

系列

POWER MOS V®

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

雪崩 额定

最大功率耗散

520 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

额定电流

100 A

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

625 W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

18 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

9mOhm @ 50A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 2.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

9875 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

350 nC @ 10 V

上升时间

36 ns

漏源电压 (Vdss)

100 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

100 A

JEDEC-95代码

TO-264AA

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

漏极-源极导通最大电阻

0.009 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

400 A

输入电容

7.9 nF

DS 击穿电压-最小值

100 V

雪崩能量等级（Eas）

3000 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-

最大rds

300 mΩ

辐射硬化

无

无铅

无铅