Microchip APT12057JFLL

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

表面安装

NO

安装类型

底座安装

包装/外壳

SOT-227-4, miniBLOC

底架

Chassis Mount, Screw

引脚数

4

供应商器件包装

ISOTOP®

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

APT12057JFLL

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Package Code

ISOTOP

Package Description

ISOTOP-4

Manufacturer Package Code

ISOTOP

Risk Rank

1.81

Drain Current-Max (ID)

19 A

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

FLANGE MOUNT

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package

Tube

Base Product Number

APT12057

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

19A (Tc)

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Schedule B

8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080

Voltage Rating (DC)

1.2 kV

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

36 ns

系列

POWER MOS 7®

无铅代码

有

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

520 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

额定电流

19 A

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PUFM-X4

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

520 W

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

11 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

570mOhm @ 9.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 2.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5155 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

185 nC @ 10 V

上升时间

18 ns

漏源电压 (Vdss)

1200 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

19 A

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

19 A

漏极-源极导通最大电阻

0.57 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

76 A

输入电容

5.155 nF

DS 击穿电压-最小值

1200 V

雪崩能量等级（Eas）

3000 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

520 W

场效应管特性

-

最大rds

570 mΩ

辐射硬化

无

无铅

无铅