Microchip APT33GF120LRDQ2G

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-264-3, TO-264AA

供应商器件包装

TO-264 [L]

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

APT33GF120LRDQ2G

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Package Code

TO-264AA

Package Description

ROHS COMPLIANT, TO-264, 3 PIN

Risk Rank

5.14

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

FLANGE MOUNT

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Turn-off Time-Nom (toff)

355 ns

Turn-on Time-Nom (ton)

31 ns

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.7

Package

Tube

Current-Collector (Ic) (Max)

64 A

Base Product Number

APT33GF120

厂商

微芯片技术

Product Status

Obsolete

Test Conditions

800V, 25A, 4.3Ohm, 15V

Maximum Gate Emitter Voltage

- 20 V, + 20 V

Pd - Power Dissipation

357 W

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Continuous Collector Current at 25 C

64 A

Mounting Styles

通孔

Brand

Microchip Technology / Atmel

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

1.2 kV

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

包装

Tube

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

功率耗散

357

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

357 W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

IGBT晶体管

JEDEC-95代码

TO-264AA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200 V

最大耗散功率(Abs)

357 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3V @ 15V, 25A

集电极电流-最大值(IC)

64 A

连续集电极电流

64

IGBT类型

NPT

集电极-发射器电压-最大值

1200 V

闸门收费

170 nC

集极脉冲电流（Icm）

75 A

Td（开/关）@25°C

14ns/185ns

开关能量

1.315mJ (on), 1.515mJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

30 V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6.5 V

产品类别

IGBT晶体管