APT40GP60J详情
Microchip APT40GP60J重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
底座安装
包装/外壳
ISOTOP
表面安装
NO
供应商器件包装
ISOTOP®
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Package
Tube
Current-Collector (Ic) (Max)
86 A
Base Product Number
APT40GP60
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Package Description
ISOTOP-4
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Turn-on Time-Nom (ton)
49 ns
Manufacturer Package Code
ISOTOP
Turn-off Time-Nom (toff)
158 ns
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
APT40GP60J
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Microsemi Corporation
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Risk Rank
5.13
Part Package Code
ISOTOP
系列
POWER MOS 7®
JESD-609代码
e1
无铅代码
有
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
附加功能
低导通损耗
子类别
绝缘栅BIP晶体管
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PUFM-X4
资历状况
不合格
配置
Single
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
284 W
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
输入
Standard
最大集极截止电流
250 µA
电压 - 集射极击穿(最大值)
600 V
最大耗散功率(Abs)
284 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.7V @ 15V, 40A
集电极电流-最大值(IC)
86 A
IGBT类型
PT
集电极-发射器电压-最大值
600 V
NTC热敏电阻
无
栅极-发射极电压-最大值
20 V
输入电容(Cies)@Vce
4.61 nF @ 25 V
APT40GP60J拓展信息








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