Microchip APT40SM120B

生命周期状态

Obsolete (Last Updated: 2 years ago)

表面安装

NO

底架

通孔

终端数量

3

晶体管元件材料

碳化硅

制造商包装标识符

TO-247 (B)

Manufacturer Part Number

APT40SM120B

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Risk Rank

5.79

Drain Current-Max (ID)

41 A

Number of Elements

1

Operating Temperature-Min

-55 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

FLANGE MOUNT

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

32 ns

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

273 W

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

273 W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

10 ns

晶体管应用

SWITCHING

漏源电压 (Vdss)

1.2 kV

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

41 A

阈值电压

1.7 V

JEDEC-95代码

TO-247

栅极至源极电压(Vgs)

25 V

漏极-源极导通最大电阻

0.1 Ω

漏源击穿电压

1.2 kV

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

100 A

输入电容

2.56 nF

DS 击穿电压-最小值

1200 V

雪崩能量等级（Eas）

2500 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大结点温度（Tj）

175 °C

漏源电阻

80 mΩ

最大rds

100 mΩ

高度

25.96 mm

无铅

无铅