Microchip APT5020BVRG

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

底架

通孔

供应商器件包装

TO-247 [B]

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

APT5020BVRG

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Risk Rank

5.09

Drain Current-Max (ID)

26 A

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

FLANGE MOUNT

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Continuous Drain Current Id

26

Package

Tube

Base Product Number

APT5020

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

26A (Tc)

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Voltage Rating (DC)

500 V

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

50 ns

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

500 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

2 V

Pd - Power Dissipation

300 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 30 V, + 30 V

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Mounting Styles

通孔

Channel Mode

Enhancement

Qg - Gate Charge

225 nC

Rds On - Drain-Source Resistance

200 mOhms

Id - Continuous Drain Current

26 A

系列

POWER MOS V®

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

HIGH VOLTAGE

HTS代码

8541.29.00.95

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

额定电流

26 A

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1 Channel

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

300

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

12 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

200mOhm @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4440 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

225 nC @ 10 V

上升时间

10 ns

漏源电压 (Vdss)

500 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

26 A

JEDEC-95代码

TO-247

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

漏极-源极导通最大电阻

0.2 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

104 A

输入电容

4.44 nF

DS 击穿电压-最小值

500 V

信道型

N

雪崩能量等级（Eas）

1300 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-

辐射硬化

无

无铅

无铅