APT5028BVRG详情
Microchip APT5028BVRG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
Obsolete (Last Updated: 2 months ago)
表面安装
NO
底架
通孔
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
APT5028BVRG
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Risk Rank
7.94
Drain Current-Max (ID)
20 A
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Schedule B
8541290080
Voltage Rating (DC)
500 V
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
43 ns
JESD-609代码
e1
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
附加功能
HIGH VOLTAGE
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
额定电流
20 A
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
250 W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
10 ns
晶体管应用
SWITCHING
上升时间
11 ns
漏源电压 (Vdss)
500 V
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
20 A
JEDEC-95代码
TO-247
栅极至源极电压(Vgs)
30 V
漏极-源极导通最大电阻
0.28 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
80 A
输入电容
3.18 nF
DS 击穿电压-最小值
500 V
雪崩能量等级(Eas)
960 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
辐射硬化
无
无铅
无铅
APT5028BVRG拓展信息
Microchip
Microchip
Microchip
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