Microchip APT50M50JFLL

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

表面安装

NO

底架

Screw

包装/外壳

SOT-227-4

引脚数

4

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

APT50M50JFLL

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Package Code

ISOTOP

Package Description

ISOTOP-4

Manufacturer Package Code

ISOTOP

Risk Rank

5.16

Drain Current-Max (ID)

71 A

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

FLANGE MOUNT

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Continuous Drain Current Id

71

Voltage Rating (DC)

500 V

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

55 ns

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

500 V

Typical Turn-On Delay Time

24 ns

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

3 V

Pd - Power Dissipation

595 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 30 V, + 30 V

Unit Weight

1.058219 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

螺钉安装

Brand

Microchip Technology / Atmel

Rds On - Drain-Source Resistance

50 mOhms

Typical Turn-Off Delay Time

55 ns

Id - Continuous Drain Current

71 A

包装

Tube

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

类型

MOSFET

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

UL 认证

技术

Si

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

额定电流

71 A

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PUFM-X4

资历状况

不合格

工作电源电压

333 V

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

595

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

24 ns

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

18 ns

漏源电压 (Vdss)

500 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

Discrete Semiconductor Modules

连续放电电流(ID)

71 A

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

71 A

漏极-源极导通最大电阻

0.05 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

284 A

输入电容

10.6 nF

DS 击穿电压-最小值

500 V

信道型

N

雪崩能量等级（Eas）

3200 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

595 W

产品

功率MOSFET模块

产品类别

Discrete Semiconductor Modules

辐射硬化

无

无铅

无铅