Microchip APT50M50JVR

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

表面安装

NO

安装类型

底座安装

包装/外壳

SOT-227-4, miniBLOC

底架

Chassis Mount, Screw

引脚数

4

供应商器件包装

ISOTOP®

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

FLANGE MOUNT

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Drain Current-Max (ID)

77 A

Risk Rank

5.13

Manufacturer Package Code

ISOTOP

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4

Part Package Code

ISOTOP

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Life Cycle Code

活跃

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APT50M50JVR

Package

Tube

Base Product Number

APT50M50

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

77A (Tc)

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Voltage Rating (DC)

500 V

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

85 ns

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

500 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

4 V

Pd - Power Dissipation

700 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 30 V, + 30 V

Unit Weight

2.102659 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

螺钉安装

Channel Mode

Enhancement

Brand

Microchip Technology / Atmel

Qg - Gate Charge

675 nC

Rds On - Drain-Source Resistance

50 mOhms

Id - Continuous Drain Current

77 A

系列

POWER MOS V®

包装

Tube

无铅代码

有

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

UL 认证

子类别

MOSFETs

最大功率耗散

700 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

77 A

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PUFM-X4

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1 Channel

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

700 W

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

25 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

50mOhm @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

19600 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

1000 nC @ 10 V

上升时间

20 ns

漏源电压 (Vdss)

500 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

MOSFET

连续放电电流(ID)

77 A

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

漏极-源极导通最大电阻

0.05 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

308 A

输入电容

19.6 nF

DS 击穿电压-最小值

500 V

雪崩能量等级（Eas）

3600 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-

最大rds

50 mΩ

产品类别

MOSFET

辐射硬化

无

无铅

无铅