Microchip APT8011JFLL

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

表面安装

NO

安装类型

底座安装

包装/外壳

SOT-227-4, miniBLOC

底架

Chassis Mount, Screw

引脚数

4

供应商器件包装

ISOTOP®

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

APT8011JFLL

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Package Code

ISOTOP

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4

Manufacturer Package Code

ISOTOP

Risk Rank

5.21

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Shape

RECTANGULAR

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Number of Elements

1

Drain Current-Max (ID)

51 A

Continuous Drain Current Id

51

Package

Tube

Base Product Number

APT8011

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

51A (Tc)

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Voltage Rating (DC)

800 V

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

83 ns

Pd - Power Dissipation

694 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 30 V, + 30 V

Unit Weight

1.525863 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

底座安装

Brand

微芯片技术

Rds On - Drain-Source Resistance

125 mOhms

Id - Continuous Drain Current

51 A

系列

POWER MOS 7®

包装

Tube

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

UL 认证

最大功率耗散

694 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

51 A

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PUFM-X4

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1 Channel

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

694

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

23 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

125mOhm @ 25.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

9480 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

650 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

800 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

Discrete Semiconductor Modules

连续放电电流(ID)

51 A

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

51 A

漏极-源极导通最大电阻

0.125 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

204 A

输入电容

9.48 nF

DS 击穿电压-最小值

800 V

信道型

N

雪崩能量等级（Eas）

3600 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

690 W

场效应管特性

-

最大rds

125 mΩ

产品类别

Discrete Semiconductor Modules

无铅

无铅