APTC80DA15T1G详情
Microchip APTC80DA15T1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
12
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
APTC80DA15T1G
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Package Description
FLANGE MOUNT, R-XUFM-X12
Risk Rank
5.84
Drain Current-Max (ID)
28 A
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
UNSPECIFIED
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
JESD-609代码
e1
端子表面处理
锡银铜
附加功能
雪崩 额定
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
12
JESD-30代码
R-XUFM-X12
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
28 A
漏极-源极导通最大电阻
0.15 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
110 A
DS 击穿电压-最小值
800 V
雪崩能量等级(Eas)
670 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
277 W
APTC80DA15T1G拓展信息
Microchip
Microchip
Microchip
Microchip
Microchip
Microchip
Microchip
Microchip
Microchip
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