APTC80DA15T1G
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Microchip APTC80DA15T1G

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型号

APTC80DA15T1G

品牌

Microchip

utmel 编号

1610-APTC80DA15T1G

商品类别

集成电路(IC)

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Mosfet Transisto

起订量

1最小包装量--

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APTC80DA15T1G
APTC80DA15T1G Microchip Power Mosfet Transisto

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APTC80DA15T1G详情

Microchip APTC80DA15T1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    12

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Manufacturer Part Number

    APTC80DA15T1G

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    MICROSEMI CORP

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, R-XUFM-X12

  • Risk Rank

    5.84

  • Drain Current-Max (ID)

    28 A

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Number of Elements

    1

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Package Body Material

    UNSPECIFIED

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • JESD-609代码

    e1

  • 端子表面处理

    锡银铜

  • 附加功能

    雪崩 额定

  • 端子位置

    UPPER

  • 终端形式

    UNSPECIFIED

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    12

  • JESD-30代码

    R-XUFM-X12

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    28 A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.15 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    110 A

  • DS 击穿电压-最小值

    800 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    670 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    277 W

0个相似型号

APTC80DA15T1G拓展信息

DVGA1-242A
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DS1658Y-100
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HV2761FG-GM931
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HV66PJ-GM903
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HV9123PJ-G
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HV4630PG
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