Microchip APTMC120HM17CT3AG

表面安装

NO

安装类型

底座安装

包装/外壳

Module

供应商器件包装

SP3

终端数量

20

晶体管元件材料

碳化硅

Manufacturer Part Number

APTMC120HM17CT3AG

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

不推荐

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Package Description

FLANGE MOUNT, R-XUFM-X20

Risk Rank

5.74

Drain Current-Max (ID)

147 A

Number of Elements

4

Package Body Material

UNSPECIFIED

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

FLANGE MOUNT

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package

Bulk

Base Product Number

APTMC120

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

147A (Tc)

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

1200 V

Typical Turn-On Delay Time

21 ns

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

2 V

Pd - Power Dissipation

750 W

Maximum Operating Temperature

+ 125 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 10 V, 25 V

Unit Weight

3.880136 oz

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

螺钉安装

Brand

微芯片技术

Rds On - Drain-Source Resistance

12.5 mOhms

Typical Turn-Off Delay Time

50 ns

Id - Continuous Drain Current

147 A

操作温度

-40°C ~ 175°C (TJ)

系列

-

包装

Tube

类型

开关电源

子类别

Discrete Semiconductor Modules

技术

Silicon Carbide (SiC)

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-XUFM-X20

配置

COMPLEX

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

750W

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

17mOhm @ 100A, 20V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 30mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5576pF @ 1000V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

332nC @ 5V

上升时间

19 ns

漏源电压 (Vdss)

1200V (1.2kV)

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

Discrete Semiconductor Modules

漏极-源极导通最大电阻

0.017 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

300 A

DS 击穿电压-最小值

1200 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-

产品

功率MOSFET模块

Vf-正向电压

1.5 V

产品类别

Discrete Semiconductor Modules