Microchip BAT54WT-TP

安装类型

表面贴装

包装/外壳

100-LQFP

表面安装

YES

供应商器件包装

100-TQFP (14x14)

二极管元件材料

SILICON

终端数量

3

Package

Bag

Base Product Number

CY7C1354

厂商

Infineon Technologies

Product Status

Obsolete

Memory Types

Volatile

Package Description

R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

10

Operating Temperature-Max

125 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BAT54WT-TP

Power Dissipation (Max)

0.2 W

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

微型商用部件

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICRO COMMERCIAL COMPONENTS CORP

Forward Voltage-Max (VF)

0.24 V

Risk Rank

0.89

操作温度

0°C ~ 70°C (TA)

系列

-

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

HTS代码

8541.10.00.70

子类别

研磨二极管

技术

SRAM - Synchronous, SDR

电压 - 供电

3.135V ~ 3.6V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

内存大小

9Mbit

二极管类型

接收电极

时钟频率

200 MHz

访问时间

3.2 ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

输出电流-最大值

0.2 A

写入周期时间 - 字符、页面

-

Rep Pk反向电压-最大值

30 V

最大非代表Pk前进电流

0.6 A

反向恢复时间-最大值

0.005 µs

组织的记忆

256K x 36