EDI88130LPS55CI详情
Microchip EDI88130LPS55CI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
引脚数
32
终端数量
32
RoHS
Non-Compliant
Package Description
0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32
Package Style
IN-LINE
Number of Words Code
128000
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Equivalence Code
DIP32,.6
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
55 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
EDI88130LPS55CI
Number of Words
131072 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
DIP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
White Electronic Designs Corp
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORP
Risk Rank
5.64
包装
Bulk
最高工作温度
85 °C
最小工作温度
-40 °C
附加功能
备用电池操作
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
2.54 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-CDIP-T32
资历状况
不合格
工作电源电压
5 V
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
电源
5 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
端口的数量
1
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.2 mA
组织结构
128KX8
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
3.937 mm
内存宽度
8
地址总线宽度
17 b
密度
1 Mb
待机电流-最大值
0.002 A
记忆密度
1048576 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
标准SRAM
待机电压-最小值
2 V
宽度
15.24 mm
长度
40.64 mm
辐射硬化
无
EDI88130LPS55CI拓展信息
Microchip Technology
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