Microchip EDI88512C70CB

表面安装

NO

终端数量

32

Number of Words

524288 words

Number of Words Code

512000

Operating Temperature-Max

125 °C

Operating Temperature-Min

-55 °C

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Package Code

DIP

Package Equivalence Code

DIP32,.6

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

IN-LINE

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Access Time-Max

70 ns

Risk Rank

5.64

Ihs Manufacturer

ELECTRONIC DESIGNS INC

Part Life Cycle Code

Transferred

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

EDI88512C70CB

Usage Level

Military grade

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

功能数量

1

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-CDIP-T32

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

电源

5 V

温度等级

MILITARY

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

端口的数量

1

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.075 mA

组织结构

512KX8

输出特性

3-STATE

内存宽度

8

待机电流-最大值

0.005 A

记忆密度

4194304 bit

筛选水平

38535Q/M;38534H;883B

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

4.5 V

输出启用

YES