HSM590GE3/TR13详情
Microchip HSM590GE3/TR13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
P600-2
安装类型
表面贴装
表面安装
YES
供应商器件包装
DO-215AB
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Breakdown Voltage / V
15.6 V
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Vesd - Voltage ESD Contact
30 kV
Unit Weight
0.071959 oz
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
800
Ipp - Peak Pulse Current
129.4 A
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation
3 kW
Manufacturer
Panjit
Brand
Panjit
RoHS
Details
Vesd - Voltage ESD Air Gap
30 kV
Package
Tape & Reel (TR)
Base Product Number
HSM590
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Package Description
R-PDSO-G2
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-55 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
HSM590GE3/TR13
Package Shape
RECTANGULAR
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Forward Voltage-Max (VF)
0.8 V
Risk Rank
5.75
包装
Reel
系列
-
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
应用
EFFICIENCY
附加功能
FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT
子类别
TVS Diodes / ESD Suppression Diodes
技术
Schottky
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
终端样式
Axial
JESD-30代码
R-PDSO-G2
工作电压
14 V
极性
单向
配置
SINGLE
通道数量
1 Channel
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
接收电极
反向泄漏电流@ Vr
250 µA @ 90 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
800 mV @ 5 A
箝位电压
23.2 V
工作温度 - 结点
-55°C ~ 175°C
输出电流-最大值
5 A
电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
90 V
平均整流电流(Io)
5A
产品类别
TVS 二极管
相位的数量
1
Rep Pk反向电压-最大值
90 V
JEDEC-95代码
DO-215AB
电容@Vr, F
-
最大非代表Pk前进电流
200 A
反向电流-最大值
250 µA
反向测试电压
90 V
产品类别
ESD Suppressors / TVS Diodes
HSM590GE3/TR13拓展信息
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
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