HSM825GE3/TR13详情
Microchip HSM825GE3/TR13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SMA-NT
表面安装
YES
供应商器件包装
SMA-NT
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Package
Tape & Reel (TR)
厂商
Formosa Microsemi Co., Ltd.
Product Status
活跃
Base Product Number
HSM825
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
3000
Manufacturer
Microchip
Brand
微芯片技术
RoHS
Details
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-55 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
HSM825GE3/TR13
Package Shape
RECTANGULAR
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Forward Voltage-Max (VF)
0.62 V
Risk Rank
5.75
操作温度
-55°C ~ 150°C
系列
-
包装
Reel
无铅代码
有
应用
GENERAL PURPOSE
子类别
Diodes & Rectifiers
技术
Schottky
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PDSO-G2
配置
SINGLE
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
接收电极
反向泄漏电流@ Vr
250 µA @ 25 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
620 mV @ 8 A
电源线保护
无
电压 - 击穿
201V
功率 - 脉冲峰值
1500W (1.5kW)
峰值脉冲电流(10/1000μs)
5.1A
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
292V
电压 - 反向断态(典型值)
180V
工作温度 - 结点
-55°C ~ 175°C
输出电流-最大值
8 A
电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
25 V
平均整流电流(Io)
8A
产品类别
Schottky Diodes & Rectifiers
双向通道
1
相位的数量
1
Rep Pk反向电压-最大值
25 V
JEDEC-95代码
DO-215AB
电容@Vr, F
-
最大非代表Pk前进电流
350 A
反向电流-最大值
250 µA
反向测试电压
25 V
产品类别
Schottky Diodes & Rectifiers
HSM825GE3/TR13拓展信息
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology








哦! 它是空的。