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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥13.954423
10
¥13.164548
100
¥12.419384
500
¥11.716399
1000
¥11.053208
HSM830GE3/TR13详情
Microchip HSM830GE3/TR13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
安装类型
表面贴装
包装/外壳
DO-215AB, SMC Gull Wing
供应商器件包装
DO-215AB
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Manufacturer Part Number
HSM830GE3/TR13
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Risk Rank
5.75
Forward Voltage-Max (VF)
0.62 V
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
175 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Package
Tape & Reel (TR)
Base Product Number
HSM830
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
3000
Brand
微芯片技术
RoHS
Details
系列
-
包装
Reel
无铅代码
有
应用
GENERAL PURPOSE
子类别
Diodes & Rectifiers
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PDSO-G2
配置
SINGLE
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
接收电极
反向泄漏电流@ Vr
250 µA @ 30 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
620 mV @ 8 A
工作温度 - 结点
-55°C ~ 175°C
输出电流-最大值
8 A
电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
30 V
平均整流电流(Io)
8A
产品类别
Schottky Diodes & Rectifiers
相位的数量
1
Rep Pk反向电压-最大值
30 V
JEDEC-95代码
DO-215AB
电容@Vr, F
-
最大非代表Pk前进电流
350 A
反向电流-最大值
250 µA
反向测试电压
30 V
产品类别
Schottky Diodes & Rectifiers
HSM830GE3/TR13拓展信息
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology







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