HSM845Je3/TR13详情
Microchip HSM845Je3/TR13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 months ago)
安装类型
表面贴装
包装/外壳
4-SMD, No Lead
底架
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
2
供应商器件包装
DO-214AB
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Package
Bulk
厂商
Suntsu Electronics, Inc.
Product Status
活跃
Base Product Number
HSM845
RoHS
Compliant
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
3000
Manufacturer
Microchip
Brand
微芯片技术
Package Description
DO-214AB, 2 PIN
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
HSM845JE3/TR13
Package Shape
RECTANGULAR
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Risk Rank
5.59
Part Package Code
DO-214AB
操作温度
-10°C ~ 60°C
系列
SXT324
包装
Tape & Reel
尺寸/尺寸
0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm)
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
类型
兆赫晶体
端子表面处理
哑光锡
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-55 °C
应用
GENERAL PURPOSE
HTS代码
8541.10.00.80
子类别
Diodes & Rectifiers
技术
Schottky
端子位置
DUAL
终端形式
J BEND
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
频率
40 MHz
频率稳定性
±30ppm
引脚数量
2
JESD-30代码
R-PDSO-J2
ESR(等效串联电阻)
40 Ohms
配置
SINGLE
负载电容
12pF
元素配置
Single
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
接收电极
反向泄漏电流@ Vr
250 µA @ 45 V
操作模式
Fundamental
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
620 mV @ 8 A
频率容差
±30ppm
正向电流
8 A
工作温度 - 结点
-55°C ~ 175°C
输出电流-最大值
8 A
电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
45 V
平均整流电流(Io)
8A
正向电压
620 mV
最大反向电压(DC)
45 V
平均整流电流
8 A
产品类别
Schottky Diodes & Rectifiers
相位的数量
1
峰值反向电流
250 µA
最大重复反向电压(Vrrm)
45 V
Rep Pk反向电压-最大值
45 V
JEDEC-95代码
DO-214AB
电容@Vr, F
-
峰值非恢复性浪涌电流
350 A
最大非代表Pk前进电流
350 A
二极管配置
Single
重复峰值反向电压
45
产品类别
Schottky Diodes & Rectifiers
座位高度(最大)
0.031 (0.80mm)
辐射硬化
无
无铅
无铅
HSM845Je3/TR13拓展信息
Microchip Technology
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