对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 二极管元件材料 | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | 尺寸/尺寸 | 容差 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 温度系数 | 电阻 | 端子表面处理 | 组成 | 功率(瓦特) | 附加功能 | HTS代码 | 子类别 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 参考标准 | 终端样式 | JESD-30代码 | 资历状况 | 失败率 | 极性 | 配置 | 二极管类型 | 反向泄漏电流@ Vr | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 箱体转运 | 功率 - 最大 | 阻抗-最大 | 测试电流 | 参考电压 | 电压 - 齐纳(标准值)(Vz) | 产品类别 | 最大电压允差 | 工作测试电流 | 电压允差 | 齐纳电流 | 特征 | Vf-正向电压 | 产品类别 | 直径 | 高度 | 座位高度(最大) | 长度 | 宽度 | RoHS状态 | 评级结果 | |||||||||||||||||||
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![]() | JAN1N4479D | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 14 Weeks | 通孔 | DO-204AL, DO-41, Axial | NO | 2 | SILICON | 1 | 1.5W | -65°C~175°C | Bulk | 1999 | Military, MIL-PRF-19500/406 | ±1% | e0 | no | IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago) | 1 (Unlimited) | 2 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | HIGH RELIABILITY, METALLURGICALLY BONDED | 8541.10.00.50 | WIRE | 未说明 | 未说明 | MIL-19500 | O-LALF-W2 | Qualified | UNIDIRECTIONAL | SINGLE | 泽纳电极 | 50nA @ 31.2V | 1V @ 200mA | ISOLATED | 1.5W | 30Ohm | 39V | 39V | 1% | 6.5mA | Non-RoHS Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JAN1N4479D | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | 0402 (1005 Metric) | 0402 | 通孔 | Microchip | Microchip / Microsemi | Vishay Dale | N | 30 Ohms | Tape & Reel (TR) | CRCW0402 | 活跃 | 0.010935 oz | 1 | -55°C ~ 155°C | Bulk | CRCW-HP | 0.039 L x 0.020 W (1.00mm x 0.50mm) | ±1% | 2 | ±100ppm/°C | 24.3 kOhms | 厚膜 | 0.2W, 1/5W | Diodes & Rectifiers | Axial | - | 50 nA @ 31.2 V | 1 V @ 200 mA | 1.5 W | 39 V | 齐纳二极管 | Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding | 齐纳二极管 | 2.16 mm | 0.016 (0.40mm) | 4.06 mm | AEC-Q200 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JAN1N4479DUS | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | SQ-MELF, A | D-5A | 30 Ohms | 活跃 | Bulk | 1N4479 | 0.05 uA | 30 Ohms | 0.05 uA | 1.5 W | 微芯片技术 | + 175 C | 0.006808 oz | - 65 C | 1 | SMD/SMT | Microchip | Microchip / Microsemi | 39 V | N | -65°C ~ 175°C | Bulk | Military, MIL-PRF-19500/406 | ±1% | Diodes & Rectifiers | Single | 50 nA @ 31.2 V | 1 V @ 200 mA | 1.5 W | 6.5 mA | 39 V | 齐纳二极管 | 1 % | 37 mA | 1.5 V | 齐纳二极管 | 2.62 mm | 5.08 mm | 2.62 mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JAN1N4479DUS | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 2 Weeks | 表面贴装 | SQ-MELF, A | YES | 2 | SILICON | 1 | 1.5W | -65°C~175°C | Bulk | Military, MIL-PRF-19500/406 | ±1% | e0 | no | 活跃 | 1 (Unlimited) | 2 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 8541.10.00.50 | END | 环绕 | 未说明 | 未说明 | MIL-19500/406F | O-LELF-R2 | Qualified | UNIDIRECTIONAL | SINGLE | 泽纳电极 | 50nA @ 31.2V | 1V @ 200mA | ISOLATED | 1.5W | 30Ohm | 39V | 39V | 1% | 6.5mA | Non-RoHS Compliant |




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