JAN1N5416US详情
Microchip JAN1N5416US重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
B, Axial
表面安装
YES
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Package
Bulk
Base Product Number
1N5416
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Package Description
E-LELF-R2
Package Style
长式
Package Body Material
GLASS
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Mounting Styles
SMD/SMT
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
JAN1N5416US
Package Shape
ELLIPTICAL
Manufacturer
敏创半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
SENSITRON SEMICONDUCTOR
Forward Voltage-Max (VF)
1.5 V
Risk Rank
5.28
Part Package Code
MELF
系列
Military, MIL-PRF-19500/411
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
应用
GENERAL PURPOSE
附加功能
冶金结合
HTS代码
8541.10.00.80
子类别
研磨二极管
端子位置
END
终端形式
环绕
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
引脚数量
2
参考标准
MIL-19500
JESD-30代码
E-LELF-R2
资历状况
Qualified
配置
SINGLE
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
Standard
反向泄漏电流@ Vr
1 µA @ 100 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.5 V @ 9 A
箱体转运
ISOLATED
工作温度 - 结点
-65°C ~ 175°C
输出电流-最大值
3 A
电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
100 V
平均整流电流(Io)
3A
相位的数量
1
Rep Pk反向电压-最大值
100 V
电容@Vr, F
-
最大非代表Pk前进电流
80 A
反向恢复时间-最大值
0.15 µs
反向恢复时间(trr)
150 ns
JAN1N5416US拓展信息
Microchip Technology
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