Microchip JAN1N5552US

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SQ-MELF, B

表面安装

YES

供应商器件包装

D-5B

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

RoHS

Non-Compliant

Package

Bulk

厂商

微芯片技术

Product Status

Discontinued at Digi-Key

Package Description

O-LELF-R2

Package Style

长式

Package Body Material

GLASS

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

JAN1N5552US

Package Shape

ROUND

Manufacturer

敏创半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

SENSITRON SEMICONDUCTOR

Forward Voltage-Max (VF)

1.2 V

Risk Rank

5.29

Part Package Code

MELF

包装

Bulk

系列

Military, MIL-PRF-19500/420

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-65 °C

应用

GENERAL PURPOSE

HTS代码

8541.10.00.80

子类别

研磨二极管

端子位置

END

终端形式

环绕

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

参考标准

MIL

JESD-30代码

O-LELF-R2

资历状况

Qualified

配置

SINGLE

元素配置

Single

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

Standard

反向泄漏电流@ Vr

1 µA @ 600 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.2 V @ 9 A

箱体转运

ISOLATED

正向电流

5 A

工作温度 - 结点

-65°C ~ 175°C

输出电流-最大值

3 A

电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

600 V

平均整流电流（Io）

3A

相位的数量

1

反向恢复时间

2 µs

峰值反向电流

1 µA

最大重复反向电压(Vrrm)

600 V

Rep Pk反向电压-最大值

600 V

电容@Vr, F

-

峰值非恢复性浪涌电流

100 A

最大非代表Pk前进电流

150 A

反向恢复时间-最大值

2 µs

反向恢复时间(trr)

2 µs

辐射硬化

无