JAN1N5556详情
Microchip JAN1N5556重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
DO-13-2
安装类型
通孔
表面安装
NO
供应商器件包装
DO-13 (DO-202AA)
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Qualification
AEC-Q200
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
4000
Mounting Styles
PCB 安装
Manufacturer
TT Electronics
Brand
Welwyn Components / TT Electronics
RoHS
Details
Cd - Diode Capacitance
-
Breakdown Voltage / V
43.7 V
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Vesd - Voltage ESD Contact
-
Unit Weight
0.052911 oz
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Ipp - Peak Pulse Current
24 A
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation
1.5 kW
Vesd - Voltage ESD Air Gap
-
Package
Bulk
Base Product Number
1N5556
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Package Description
O-MALF-W2
Package Style
长式
Package Body Material
METAL
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
JAN1N5556
Power Dissipation (Max)
1 W
Package Shape
ROUND
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Risk Rank
2.07
Part Package Code
DO-13
系列
PCF
包装
Reel
操作温度
-65°C ~ 175°C (TJ)
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
类型
Zener
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
应用
通用型
HTS代码
8541.10.00.50
子类别
Resistors
技术
Thin Film
端子位置
AXIAL
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
引脚数量
2
参考标准
MIL-19500/500
终端样式
Axial
JESD-30代码
O-MALF-W2
资历状况
Qualified
工作电压
40.3 V
极性
单向
配置
SINGLE
通道数量
1 Channel
二极管类型
跨压抑制二极管
箱体转运
ISOLATED
电源线保护
无
电压 - 击穿
43.7V
功率 - 脉冲峰值
1500W (1.5kW)
峰值脉冲电流(10/1000μs)
24A
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
63.5V
箝位电压
63.5 V
电压 - 反向断态(典型值)
40.3V
单向通道
1
产品类别
薄膜电阻器
Rep Pk反向电压-最大值
40.3 V
JEDEC-95代码
DO-202AA
电容@频率
-
最大非代表峰值转速功率Dis
1500 W
击穿电压-最小值
43.7 V
特征
-
产品类别
Thin Film Resistors - SMD
JAN1N5556拓展信息
Microchip Technology
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