Microchip JAN1N5629A

包装/外壳

DO-13-2

安装类型

通孔

供应商器件包装

DO-13 (DO-202AA)

Package Type

DO-13

Operating Temp Range

-65C to 175C

Reverse Stand-off Voltage

5.8(V)

Peak Pulse Power Dissipation

1500(W)

Number of Elements

1

Rad Hardened

无

Test Current (It)

10(mA)

Mounting

通孔

Cd - Diode Capacitance

-

Breakdown Voltage / V

6.45 V

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Unit Weight

0.052911 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Ipp - Peak Pulse Current

143 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

1.5 kW

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

Vesd - Voltage ESD Air Gap

-

Package

Bulk

Base Product Number

1N5629

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

包装

Bag

操作温度

-65°C ~ 175°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/500

类型

Zener

应用

通用型

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

引脚数量

2

终端样式

Axial

工作电压

5.8 V

极性

Uni-Directional

通道数量

1 Channel

电源线保护

无

电压 - 击穿

6.45V

功率 - 脉冲峰值

1500W (1.5kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

143A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

10.5V

箝位电压

10.5(V)

电压 - 反向断态（典型值）

5.8V

峰值脉冲电流

143(A)

单向通道

1

产品类别

TVS 二极管

电容@频率

-

反向击穿电压

6.45(V)

最大泄漏电流

1(uA)

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes