Microchip JAN1N5907

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

DO-13

表面安装

NO

引脚数

2

供应商器件包装

DO-13 (DO-202AA)

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Supplier Package

DO-13

Peak Pulse Power Dissipation

1500 W

Direction Type

Uni-Directional

Mounting

通孔

Package Type

DO-13

Operating Temp Range

-65C to 175C

Reverse Stand-off Voltage

5(V)

Number of Elements

1

Rad Hardened

无

Test Current (It)

1(mA)

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

Schedule B

8541100080, 8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080

Package

Bulk

Base Product Number

1N5907

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

O-MALF-W2

Package Style

长式

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

JAN1N5907

Power Dissipation (Max)

1 W

Package Shape

ROUND

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

2.04

Part Package Code

DO-13

Usage Level

Military grade

操作温度

-65 to 175 °C

包装

Bag

系列

Military, MIL-PRF-19500/500

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-65 °C

应用

通用型

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

技术

AVALANCHE

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500/500

JESD-30代码

O-MALF-W2

资历状况

Qualified

极性

Uni-Directional

配置

Single

泄漏电流

300 µA

元素配置

Single

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

ISOLATED

电源线保护

无

电压 - 击穿

6V

功率 - 脉冲峰值

1500W (1.5kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

120A

最大反向漏电电流

300 µA

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

8.5V

箝位电压

8.5(V)

电压 - 反向断态（典型值）

5V

峰值脉冲电流

120(A)

峰值脉冲功率

1.5 kW

方向

单向

测试电流

1 mA

单向通道

1

产品类别

TVS 二极管

Rep Pk反向电压-最大值

5 V

JEDEC-95代码

DO-202AA

电容@频率

-

反向击穿电压

6(V)

筛选水平

Military

最大非代表峰值转速功率Dis

1500 W

ESD保护

有

最大泄漏电流

0.3(uA)

击穿电压-最小值

6 V

最小击穿电压

6 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes

辐射硬化

无