JAN1N6069A详情
Microchip JAN1N6069A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
DO-13
供应商器件包装
DO-13 (DO-202AA)
Capacitance Tolerance
10%
Package
Bulk
Base Product Number
1N6069
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Breakdown Voltage / V
189 V
Pd - Power Dissipation
1 W
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Unit Weight
0.052911 oz
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Ipp - Peak Pulse Current
5.7 A
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation
1.5 kW
Manufacturer
Microchip
Brand
Microchip / Microsemi
RoHS
N
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
系列
Military, MIL-PRF-19500/507
类型
Zener
应用
通用型
电容量
47 uF
子类别
TVS Diodes / ESD Suppression Diodes
终端样式
Axial
工作电压
150 V
极性
双向
通道数量
1 Channel
纹波电流
408 mA
电源线保护
无
制造商的尺寸代码
D
电压 - 击穿
171V
功率 - 脉冲峰值
1500W (1.5kW)
峰值脉冲电流(10/1000μs)
5.7A
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
261V
箝位电压
261 V
电压 - 反向断态(典型值)
150V
产品类别
TVS 二极管
双向通道
1
等效串联电阻
0.9 mOhm
电容@频率
-
产品类别
ESD Suppressors / TVS Diodes
产品长度
7.3 mm
产品宽度
7.3 x 4.3 x 2.9 mm
JAN1N6069A拓展信息
Microchip Technology
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