Microchip JAN1N6104AUS

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SQ-MELF, B

表面安装

YES

供应商器件包装

B, SQ-MELF

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Manufacturer

Miscellaneous

Supplier Package

E-MELF

Peak Pulse Power Dissipation

500 W

Direction Type

Bi-Directional

Mounting

表面贴装

Package

Bulk

Base Product Number

1N6104

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

HERMETIC SEALED, SURFACE MOUNT PACKAGE-2

Package Style

长式

Package Body Material

UNSPECIFIED

Manufacturer Part Number

JAN1N6104AUS

Power Dissipation (Max)

1.5 W

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

SEMTECH CORP

Breakdown Voltage-Nom

8.2 V

Risk Rank

5.36

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Vesd - Voltage ESD Air Gap

-

Usage Level

Military grade

操作温度

-55 to 175 °C

系列

Military, MIL-PRF-19500/516

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

应用

通用型

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

瞬态抑制器

技术

ZENER

端子位置

END

终端形式

无铅

Reach合规守则

unknown

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500/516

JESD-30代码

O-XELF-N2

资历状况

Qualified

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

Single

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

ISOLATED

电源线保护

无

电压 - 击穿

7.79V

功率 - 脉冲峰值

500W

峰值脉冲电流（10/1000μs）

41.3A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

12.1V

电压 - 反向断态（典型值）

6.2V

测试电流

150 mA

产品类别

TVS 二极管

双向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

6.2 V

电容@频率

-

筛选水平

Military

最大非代表峰值转速功率Dis

500 W

ESD保护

有

击穿电压-最小值

7.79 V

最大箝位电压

12.1 V