Microchip JAN1N6115

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

B, Axial

供应商器件包装

Axial

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Manufacturer Part Number

JAN1N6115

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

SEMTECH CORP

Package Description

HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2

Risk Rank

5.4

Breakdown Voltage-Nom

24 V

Number of Elements

2

Operating Temperature-Max

175 °C

Operating Temperature-Min

-65 °C

Package Body Material

GLASS

Package Shape

ROUND

Package Style

长式

Power Dissipation (Max)

1.5 W

Package

Bulk

Base Product Number

1N6115

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Unit Weight

0.024692 oz

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

Vesd - Voltage ESD Air Gap

-

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/516

包装

Bulk

JESD-609代码

e2

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

锡铜

应用

通用型

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

Reach合规守则

unknown

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500/516

JESD-30代码

O-LALF-W2

资历状况

Qualified

极性

BIDIRECTIONAL

配置

COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

ISOLATED

电源线保护

无

电压 - 击穿

21.66V

功率 - 脉冲峰值

500W

峰值脉冲电流（10/1000μs）

14.25A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

34.97V

电压 - 反向断态（典型值）

18.2V

产品类别

TVS 二极管

双向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

18.2 V

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

500 W

反向电流-最大值

1 µA

击穿电压-最小值

22.8 V

最大箝位电压

34.965 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes