Microchip JAN1N6119A

包装/外壳

C-Package-2

安装类型

通孔

供应商器件包装

Axial

Supplier Package

E型壳体

Peak Pulse Power Dissipation

500 W

Direction Type

Bi-Directional

Mounting

通孔

Breakdown Voltage / V

34.2 V

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Ipp - Peak Pulse Current

10 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

1.5 kW

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

Vesd - Voltage ESD Air Gap

-

Package

Bulk

Base Product Number

1N6119

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Usage Level

Military grade

操作温度

-55 to 175 °C

包装

Bulk

系列

Military, MIL-PRF-19500/516

类型

Zener

应用

通用型

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

引脚数量

2

终端样式

Axial

工作电压

27.4 V

极性

双向

配置

Single

通道数量

1 Channel

电源线保护

无

电压 - 击穿

34.2V

功率 - 脉冲峰值

500W

峰值脉冲电流（10/1000μs）

10A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

49.9V

箝位电压

49.9 V

电压 - 反向断态（典型值）

27.4V

测试电流

30 mA

产品类别

TVS 二极管

双向通道

1

电容@频率

-

筛选水平

Military

ESD保护

有

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes