Microchip JAN1N6125A

包装/外壳

C-Package-2

安装类型

通孔

供应商器件包装

Axial

Breakdown Voltage / V

58.9 V

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Ipp - Peak Pulse Current

5.9 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

500 W

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

Package

Bulk

Base Product Number

1N6125

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

包装

Bulk

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/516

类型

Zener

应用

通用型

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

终端样式

Axial

工作电压

47.1 V

极性

双向

通道数量

1 Channel

电源线保护

无

电压 - 击穿

58.9V

功率 - 脉冲峰值

500W

峰值脉冲电流（10/1000μs）

5.9A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

85.3V

箝位电压

85.3 V

电压 - 反向断态（典型值）

47.1V

产品类别

TVS 二极管

双向通道

1

电容@频率

-

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes