JAN1N6135US详情
Microchip JAN1N6135US重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
4-SMD, No Lead
供应商器件包装
B, SQ-MELF
Package
Bulk
厂商
Suntsu Electronics, Inc.
Product Status
活跃
Unit Weight
0.019013 oz
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Manufacturer
Microchip
Brand
Microchip / Microsemi
RoHS
N
Base Product Number
1N6135
操作温度
0°C ~ 70°C
系列
SXT214
包装
Bulk
尺寸/尺寸
0.079 L x 0.063 W (2.00mm x 1.60mm)
类型
兆赫晶体
应用
通用型
子类别
TVS Diodes / ESD Suppression Diodes
频率
27 MHz
频率稳定性
±30ppm
ESR(等效串联电阻)
100 Ohms
负载电容
12pF
操作模式
Fundamental
频率容差
±10ppm
电源线保护
无
电压 - 击穿
144.4V
功率 - 脉冲峰值
500W
峰值脉冲电流(10/1000μs)
2.19A
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
229.32V
电压 - 反向断态(典型值)
121.6V
产品类别
TVS 二极管
双向通道
1
电容@频率
-
产品类别
ESD Suppressors / TVS Diodes
座位高度(最大)
0.020 (0.50mm)
评级结果
-
JAN1N6135US拓展信息
Microchip Technology
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