JAN1N6150AUS详情
Microchip JAN1N6150AUS重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 months ago)
触点镀层
Lead, Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SQ-MELF, C
引脚数
2
供应商器件包装
C, SQ-MELF
Supplier Package
G-MELF
Peak Pulse Power Dissipation
1500 W
Direction Type
Bi-Directional
Mounting
表面贴装
Vesd - Voltage ESD Contact
-
Unit Weight
0.019013 oz
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Manufacturer
Microchip
Brand
Microchip / Microsemi
RoHS
N
Vesd - Voltage ESD Air Gap
-
Package
Bulk
Base Product Number
1N6150
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Usage Level
Military grade
操作温度
-55 to 175 °C
包装
Bulk
系列
Military, MIL-PRF-19500/516
类型
Zener
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-55 °C
应用
通用型
子类别
TVS Diodes / ESD Suppression Diodes
引脚数量
2
配置
Single
元素配置
Single
电源线保护
无
电压 - 击穿
20.9V
功率 - 脉冲峰值
1500W (1.5kW)
峰值脉冲电流(10/1000μs)
49.2A
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
30.5V
电压 - 反向断态(典型值)
16.7V
方向
双向
测试电流
50 mA
产品类别
TVS 二极管
双向通道
1
电容@频率
-
筛选水平
Military
ESD保护
有
产品类别
ESD Suppressors / TVS Diodes
JAN1N6150AUS拓展信息
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology








哦! 它是空的。