Microchip JAN1N6154

安装类型

通孔

包装/外壳

Axial

表面安装

NO

供应商器件包装

C, Axial

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Manufacturer

Amphenol

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Unit Weight

0.044798 oz

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

Vesd - Voltage ESD Air Gap

-

Package

Bulk

Base Product Number

1N6154

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Style

长式

Package Body Material

GLASS

Operating Temperature-Min

-65 °C

Operating Temperature-Max

175 °C

Manufacturer Part Number

JAN1N6154

Power Dissipation (Max)

7.5 W

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

SEMTECH CORP

Breakdown Voltage-Nom

33 V

Risk Rank

5.39

包装

Bulk

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/516

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

应用

通用型

附加功能

低阻抗

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

技术

AVALANCHE

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

Reach合规守则

unknown

参考标准

MIL-19500/516

JESD-30代码

O-LALF-W2

资历状况

Qualified

极性

BIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

ISOLATED

电源线保护

无

电压 - 击穿

29.83V

功率 - 脉冲峰值

1500W (1.5kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

31.16A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

47.99V

电压 - 反向断态（典型值）

25.1V

产品类别

TVS 二极管

双向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

25.1 V

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

1500 W

反向电流-最大值

5 µA

击穿电压-最小值

29.83 V

最大箝位电压

47.985 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes