Microchip JAN1N6155A

安装类型

通孔

包装/外壳

G, Axial

表面安装

NO

供应商器件包装

C, Axial

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Lens Dimensions

5x5x7.7 mm

LED Material

InGaN

Mounting Orientation

顶部安装

Supplier Package

T-1 3/4

Intensity

16000 mcd

Maximum Forward Current

30 mA

Category

标准LED

Color Temperature

x=0.3/y=0.3 K

Mounting

通孔

Lens Shape Type

Circular

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Unit Weight

0.044798 oz

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

Vesd - Voltage ESD Air Gap

-

Package

Bulk

Base Product Number

1N6155

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Manufacturer Part Number

JAN1N6155A

Power Dissipation (Max)

5 W

Package Shape

ROUND

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

SEMTECH CORP

Breakdown Voltage-Nom

36 V

Risk Rank

5.4

Operating Temperature-Max

175 °C

Operating Temperature-Min

-65 °C

Package Body Material

GLASS

Package Style

长式

Package Description

O-LALF-W2

操作温度

-25 to 80 °C

包装

Bulk

系列

Military, MIL-PRF-19500/516

ECCN 代码

EAR99

类型

Uni-Color

颜色

White

应用

通用型

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

技术

AVALANCHE

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

Reach合规守则

unknown

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500/516

JESD-30代码

O-LALF-W2

资历状况

Qualified

极性

BIDIRECTIONAL

配置

COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS

二极管类型

跨压抑制二极管

视角

15 °

箱体转运

ISOLATED

电源线保护

无

电压 - 击穿

34.2V

功率 - 脉冲峰值

1500W (1.5kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

30.1A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

49.9V

电压 - 反向断态（典型值）

27.4V

产品类别

TVS 二极管

双向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

27.4 V

电容@频率

-

反向电压

5 V

最大非代表峰值转速功率Dis

1500 W

发光二极管的数量

1

反向电流-最大值

5 µA

击穿电压-最小值

34.2 V

最大箝位电压

49.9 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes