Microchip JAN1N6157US

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

底架

表面贴装

包装/外壳

C-Package-2

安装类型

表面贴装

引脚数

2

供应商器件包装

C, SQ-MELF

Voltage, Rating

150 V

Reverse Stand-off Voltage

32.7 V

RoHS

Non-Compliant

Breakdown Voltage / V

40.9 V

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Ipp - Peak Pulse Current

25.4 A

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

Package

Bulk

Base Product Number

1N6157

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

包装

Bulk

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/516

容差

0.5 %

温度系数

50 ppm/°C

类型

Zener

电阻

517 kΩ

最高工作温度

155 °C

最小工作温度

-55 °C

组成

Thin Film

应用

通用型

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

额定功率

250 mW

额定电流

5 uA

终端样式

SMD/SMT

工作电压

40.9 V

极性

双向

通道数量

1 Channel

元素配置

Single

电源线保护

无

电压 - 击穿

38.86V

功率 - 脉冲峰值

1500W (1.5kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

24.13A

最大反向漏电电流

5 µA

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

62.06V

箝位电压

59.1 V

电压 - 反向断态（典型值）

32.7V

峰值脉冲电流

25.4 A

峰值脉冲功率

1.5 kW

方向

双向

测试电流

30 mA

产品类别

TVS 二极管

双向通道

1

电容@频率

-

最小击穿电压

40.9 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes

高度

650 µm

辐射硬化

无