Microchip JAN1N6163US

包装/外壳

C-Package-2

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

C, SQ-MELF

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Manufacturer Part Number

03073.9-01

Approvals

CE, cURus, EAC

Manufacturer

Stego

RoHS

有

Mounting

Surface

Breakdown Voltage / V

71.3 V

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Ipp - Peak Pulse Current

14.5 A

Brand

Microchip / Microsemi

Package

Bulk

Base Product Number

1N6163

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Style

长式

Package Body Material

GLASS

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

SEMTECH CORP

Risk Rank

5.35

包装

Bulk

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/516

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

应用

通用型

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

技术

AVALANCHE

端子位置

END

终端形式

环绕

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

额定电流

5 uA

终端样式

SMD/SMT

JESD-30代码

O-LELF-R2

资历状况

Qualified

工作电压

56 V

极性

双向

配置

SINGLE

通道数量

1 Channel

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

ISOLATED

电源线保护

无

电压 - 击穿

67.74V

功率 - 脉冲峰值

1500W (1.5kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

13.78A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

108.26V

箝位电压

103.1 V

电压 - 反向断态（典型值）

56V

产品类别

TVS 二极管

双向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

56 V

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

1500 W

最大箝位电压

108 V

工作电压

120 VAC

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes

知识产权评级

IP20