JAN1N6168US详情
Microchip JAN1N6168US重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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包装/外壳
C-Package-2
安装类型
表面贴装
供应商器件包装
C, SQ-MELF
Breakdown Voltage / V
104.5 V
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Ipp - Peak Pulse Current
9.9 A
Manufacturer
Microchip
Brand
Microchip / Microsemi
RoHS
N
Package
Bulk
Base Product Number
1N6168
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
包装
Bulk
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
系列
Military, MIL-PRF-19500/516
类型
Zener
应用
通用型
子类别
TVS Diodes / ESD Suppression Diodes
额定电流
5 uA
终端样式
SMD/SMT
工作电压
86.6 V
极性
双向
通道数量
1 Channel
电源线保护
无
电压 - 击穿
108.3V
功率 - 脉冲峰值
1500W (1.5kW)
峰值脉冲电流(10/1000μs)
8.65A
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
173.36V
箝位电压
151.3 V
电压 - 反向断态(典型值)
91.2V
产品类别
TVS 二极管
双向通道
1
电容@频率
-
产品类别
ESD Suppressors / TVS Diodes
JAN1N6168US拓展信息
Microchip Technology
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