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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥492.249804
10
¥464.386605
100
¥438.100574
500
¥413.302425
1000
¥389.907949
JAN1N6170详情
Microchip JAN1N6170重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 months ago)
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
Axial
引脚数
2
供应商器件包装
C, Axial
材料
Polyester
Manufacturer Part Number
125831
Manufacturer
Brady
Reverse Stand-off Voltage
114 V
RoHS
Non-Compliant
Vesd - Voltage ESD Contact
-
Unit Weight
0.044798 oz
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Brand
Microchip / Microsemi
Vesd - Voltage ESD Air Gap
-
Package
Bulk
Base Product Number
1N6170
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
包装
Bulk
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
系列
Military, MIL-PRF-19500/516
类型
Warning Signs
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-55 °C
应用
通用型
子类别
TVS Diodes / ESD Suppression Diodes
元素配置
Single
电源线保护
无
电压 - 击穿
135.38V
功率 - 脉冲峰值
1500W (1.5kW)
峰值脉冲电流(10/1000μs)
6.94A
最大反向漏电电流
5 µA
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
216.62V
箝位电压
206.3 V
电压 - 反向断态(典型值)
114V
峰值脉冲电流
7.3 A
峰值脉冲功率
1.5 kW
方向
双向
测试电流
8 mA
产品类别
TVS 二极管
双向通道
1
电容@频率
-
图例
Lead May Damage Fertility Or The Unborn Child Causes Damage To The Central Nervous System
背景颜色
White
最小击穿电压
142.5 V
语言
English
产品类别
ESD Suppressors / TVS Diodes
辐射硬化
无
JAN1N6170拓展信息
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
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